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Com'è la memoria flash?

Le parole "memoria flash" sono ora sulla bocca di tutti. Anche i primi alunni usano spesso il termine "flash drive" nella conversazione. Questa tecnologia con incredibile velocità ha guadagnato popolarità.

memoria flash
Inoltre, molti analisti prevedono che aPresto la memoria flash, sostituirà completamente i dispositivi di archiviazione basati su dischi magnetici. Bene, resta solo da osservare i progressi del progresso e goderne i benefici. Sorprendentemente, molte persone, parlando di questa novità, non sanno praticamente nulla della memoria flash. Da un lato, l'utente ha bisogno del dispositivo per funzionare, ma il modo in cui svolge le sue funzioni è la decima cosa. Tuttavia, avere almeno un'idea generale è necessaria per ogni persona istruita.

Cos'è la memoria flash?

Come è noto, esistono diversi tipi di computerdispositivi di memoria: moduli RAM, dischi rigidi e dischi ottici. Le ultime due sono soluzioni elettromeccaniche. Ma la RAM è un dispositivo completamente elettronico.

cos'è la memoria flash
È un insieme di transistor, assemblatisu un chip di un chip speciale. La sua particolarità sta nel fatto che i dati vengono memorizzati fino a quando la tensione viene applicata all'elettrodo della base in ciascuna chiave controllata. Questo punto considereremo più dettagliatamente in seguito. La memoria flash di questa mancanza è privata. Il problema di immagazzinare una carica senza applicare una tensione esterna è stato risolto con l'aiuto di transistor con gate flottante. In assenza di influenza esterna, la carica in tale dispositivo può essere mantenuta per un tempo sufficientemente lungo (almeno 10 anni). Per spiegare il principio del lavoro, è necessario ricordare le basi dell'elettronica.

Come è organizzato il transistor?

Questi elementi sono diventati così ampiamente usati che raramente, dove non vengono utilizzati.

memoria flash USB
Anche nel banale interruttore della luce, a volteimposta le chiavi gestite. Come è organizzato il transistor classico? È basato su due materiali semiconduttori, uno dei quali ha conduttività elettronica (n) e l'altro è foro (p). Per ottenere un semplice transistore, è necessario combinare materiali, come n-p-n in ogni blocco e per collegare l'elettrodo. Una tensione (emettitore) viene applicata a un elettrodo di estremità. Può essere controllato cambiando il valore del potenziale all'uscita centrale (base). La rimozione avviene su un collettore - il terzo contatto estremo. Ovviamente, se la tensione di base scompare, il dispositivo tornerà allo stato neutro. Ma il dispositivo transistor con un cancello fleshek sottostante flottante leggermente diverso: la parte anteriore del materiale di base semiconduttore è posto un sottile strato di dielettrico e la gate flottante - insieme formano una cosiddetta "tasca". Quando si applica la tensione più alla base del transistore da aprire facendo passare una corrente che corrisponde a uno zero logico. Ma se il cancello di mettere una singola carica (elettroni), il suo campo neutralizza l'effetto della costruzione di basi - il dispositivo rifiuterà (unità logica) chiusa. Misurando la tensione tra emettitore e collettore possono determinare la presenza (o l'assenza) della carica sul gate flottante. La carica viene posizionata sul gate usando l'effetto tunnel (Fowler - Nordheim). Per rimuovere la carica, è necessario applicare una tensione negativa elevata (9 V) alla base e una tensione positiva all'emettitore. La carica lascerà l'otturatore. Poiché la tecnologia è in continua evoluzione, è stato suggerito di combinare un transistor convenzionale e un'opzione di gate flottante. Ciò ha permesso di "cancellare" la carica con una tensione più bassa e di produrre dispositivi più compatti (non è necessario isolare). La memoria flash USB utilizza questo principio (struttura NAND).

Quindi, combinando tali transistor inblocchi, è stato possibile creare una memoria in cui i dati registrati sono teoricamente salvati senza cambiare per decine di anni. Forse l'unico inconveniente delle moderne unità flash è la limitazione del numero di cicli di riscrittura.

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